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南亞科技加速AI DRAM布局,定制內存2026年或迎驗證期

   時間:2025-06-03 11:35 來源:ITBEAR作者:唐云澤

近期,臺灣內存制造商南亞科技在AI DRAM領域加速其戰略部署,旨在從高度競爭的HBM市場中脫穎而出,特別是在全球三大內存制造商激烈角逐的背景下。這一動向得到了臺灣《工商時報》與《經濟日報》的綜合報道。

南亞科技的領航者,總經理李培瑛,強調了AI應用內存技術的四大核心要素:先進且高密度的DRAM技術、3D TSV硅通孔技術與多芯片封裝工藝、HBM設計實力,以及邏輯Base Die(基礎裸晶)的應用。他透露,南亞科技已在先進DRAM技術領域完成布局,并與補丁科技與福懋科技攜手,共同推進TSV技術和封裝技術的發展。

對于HBM設計與邏輯制程Base Die的獲取,南亞科技采取了戰略性的投資與合作策略。據李培瑛介紹,南亞科技的定制化DRAM項目預計在2026年就能獲得驗證,并在2026年底至2027年期間為公司業績做出貢獻。

面對當前市場環境的變化,南亞科技正積極應對。由于三大內存制造商相繼減產或停產DDR3、DDR4產品,南亞科技抓住了這一轉單機遇。同時,隨著市場提前備貨的趨勢顯現,南亞科技有望在第三季度完成庫存清理,并在第四季度努力實現扭虧為盈的目標。

 
 
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